大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查一般来讲涨潮和落潮的主要原因是什么，涨潮和落潮的主要原因是什么引力g>

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　一般来讲涨潮和落潮的主要原因是什么，涨潮和落潮的主要原因是什么引力美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(一般来讲涨潮和落潮的主要原因是什么，涨潮和落潮的主要原因是什么引力liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。