大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī领略的意思)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产领略的意思存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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