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现在的00后女的为什么都平胸,为什么现在女孩都平胸

现在的00后女的为什么都平胸,为什么现在女孩都平胸 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī),我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán),是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突(tū)发(fā)!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国(guó)家安(ān)全(quán),依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng),至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光(guā现在的00后女的为什么都平胸,为什么现在女孩都平胸ng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:现在的00后女的为什么都平胸,为什么现在女孩都平胸1的深孔,未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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