大(dà)家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sā张歆艺袁弘为什么离的婚，张歆艺和袁弘离婚了吗n)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn张歆艺袁弘为什么离的婚，张歆艺和袁弘离婚了吗)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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