大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán过渡句是什么意思，过渡句是什么意思 举个例子)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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