大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)湖南电大几本，湖南长沙电大是几本患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)湖南电大几本，湖南长沙电大是几本，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，湖南电大几本，湖南长沙电大是几本g>国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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